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Si4563DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.20
0.16
I D = 5 A
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.12
0.08
0.04
0.00
T A = 125 °C
T A = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.4
0.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
I D = 5 mA
30
0.1
20
0.0
- 0.1
10
- 0.2
- 0.3
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73513
S09-0393-Rev. C, 09-Mar-09
www.vishay.com
9
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